КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы энергонезависимой памятиDS1230Y-120+

DS1230Y-120+, Микросхема памяти; NV SRAM; 32Кx8бит; 4,5?5,5В; 120нс; DIP28, MAXIM INTEGRATED

Арт: 173-76-605
DS1230Y-120+, Микросхема памяти; NV SRAM; 32Кx8бит; 4,5?5,5В; 120нс; DIP28, MAXIM INTEGRATED
  • добавить в избранное
  • Арт: 173-76-605
  • Наименование: DS1230Y-120+
  • Производитель: MAXIM INTEGRATED
  • Доп.наименование: Микросхема памяти; NV SRAM; 32Кx8бит; 4,5?5,5В; 120нс; DIP28
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Микросхема памяти; NV SRAM; 32Кx8бит; 4,5?5,5В; 120нс; DIP28 Семейство Энергонезависимая память Технические параметры
    • Access Time: 120ns
    • Height: 9.65mm
    • Interfaces: Parallel
    • Length: 39.3mm
    • Manufacturer: MAXIM INTEGRATED
    • Memory Size: 256КБайт
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 70°C
    • Operating Temperature Min.: 0°C
    • Organisation: 32 k x 8 Bit
    • Package Type: EDIP
    • Packaging: Tube
    • Pins: 28
    • Supply Voltage Max.: 5.5V
    • Supply Voltage Min.: 4.5V
    • Type: NV-SRAM
    • Width: 18.2mm